Наличие на складе: по запросу

Технические параметры:

Внутренняя схема GD
Количество ключей в модуле 6
Напряжение К-Э 1200 В
Рабочий ток при 25°C 50 А
Технология кристалла IGBT 4 (Trench)
Корпус SEMITOP 4
Артикул: Категория:

Описание

Силовой модуль 1.2 кВ, 50 А, SK50GD12T4T IGBT силовой модуль - SEMITOP 4; Схема: GD; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 50 А; Технология: IGBT 4 (Trench); Ключей: 6, SK50GD12T4T

Техническая документация: SMK_SK-50-GD-12T4-T

Детали

Вес не указан

    Отзывы

    Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “Силовой модуль 1.2 кВ, 50 А, SK50GD12T4T”

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Ваша оценка: