Описание
Полупроводниковый модуль 1200В, 200А, 2MBI200U4B-120-50
Полупроводниковый модуль 1200В, 200А, 2MBI200U4B-120-50
Техническая документация: 2MBI200U4B-120
Максимальное обратное напряжение диода | 1200 В |
Прямой ток диода (средний) | 200 А |
Вес |
Полупроводниковый модуль 1200В, 200А, 2MBI200U4B-120-50
Полупроводниковый модуль 1200В, 200А, 2MBI200U4B-120-50
Вес | не указан |
---|
Отзывы
Отзывов пока нет.