Описание
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
Техническая документация: RA13H1317M
| Производитель | Mitsubishi |
| Рабочее напряжение питания | 12.5 В |
| Частота усиления | 135 ... 175 МГц |
| Вид модуляции | FM |
| Выходная мощность | 13 Вт |
| Рабочая температура | -30 ... +90 °C |
| Вес | 33 г |
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
| Вес | не указан |
|---|
Отзывы
Отзывов пока нет.