Описание
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
Техническая документация: RA13H1317M
Производитель | Mitsubishi |
Рабочее напряжение питания | 12.5 В |
Частота усиления | 135 ... 175 МГц |
Вид модуляции | FM |
Выходная мощность | 13 Вт |
Рабочая температура | -30 ... +90 °C |
Вес | 33 г |
Полупроводниковый модуль RA13H1317M
Вес | не указан |
---|
Отзывы
Отзывов пока нет.