STGW75H65DFB2-4

Технические параметры:

Производитель

STMicroelectronics

Артикул: 511-STGW75H65DFB2-4 Категория: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

STGW75H65DFB2-4 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “STGW75H65DFB2-4”