RGS80TSX2GC11

Технические параметры:

Производитель

ROHM Semiconductor

Артикул: 755-RGS80TSX2GC11 Категория: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

RGS80TSX2GC11 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “RGS80TSX2GC11”