RGS30TSX2DGC11

Технические параметры:

Производитель

ROHM Semiconductor

Артикул: 755-RGS30TSX2DGC11 Категория: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

RGS30TSX2DGC11 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “RGS30TSX2DGC11”