NXH160T120L2Q2F2S1G

Технические параметры:

Производитель

onsemi

Артикул: 863-NXH160T120L2Q2F2 Категория: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

NXH160T120L2Q2F2S1G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “NXH160T120L2Q2F2S1G”