HGT1S10N120BNST

Технические параметры:

Производитель

onsemi / Fairchild

Артикул: 512-HGT1S10N120BNST Категория: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

HGT1S10N120BNST Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “HGT1S10N120BNST”