GT20N135SRA,S1E

Технические параметры:

Производитель

Toshiba

Артикул: 757-GT20N135SRA,S1E Категория: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

GT20N135SRA,S1E Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “GT20N135SRA,S1E”