Флеш память S29GL01GP12FFI010

Наличие на складе: по запросу

Технические параметры:

Корпус	BGA-64
Тип памяти	FLASH
Подтип памяти	FLASH - NOR
Интерфейс	Parallel
Объём памяти	1 Гбит
Организация памяти	128 M x 8
Напряжение питания	2.7 ... 3.6 В
Рабочая температура	-40 ... +85 °C
Время доступа	120 нс

Артикул: Категория: Микросхемы t

Описание

Флеш память S29GL01GP12FFI010 Флеш-память NOR 3V 1 Gb Mirrorbit Parallel Флеш-память NOR, S29GL01GP12FFI010

Техническая документация (Datasheet): S29GL01GP_S29GL512P_S29GL256P_S29GL128P