DF200R12W1H3FB11BOMA1

Технические параметры:

Производитель

Infineon Technologies

Артикул: 726-DFW1H3FB11BOMA1 Категория: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

DF200R12W1H3FB11BOMA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “DF200R12W1H3FB11BOMA1”