BSM50GD120DN2E3226

Технические параметры:

Производитель

Infineon Technologies

Артикул: 641-BSM50GD120DN2E32 Категория: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

BSM50GD120DN2E3226 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “BSM50GD120DN2E3226”