BSM25GD120DN2E3224

Технические параметры:

Производитель

Infineon Technologies

Артикул: 641-BSM25GD120DN2E32 Категория: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

BSM25GD120DN2E3224 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A

Вес	не указан

Отзывов пока нет.

Будьте первым, кто оставил отзыв на “BSM25GD120DN2E3224”